株式会社ユニソク

超高感度熱脱離分析装置 HEMTO-TDS

✔高感度水素検出
✔レーザー加熱による非接触温度制御

微小な基板や薄膜中に含まれる水素の検出を、熱脱離法により行う装置です。水素固溶が少ないBeCuチャンバーを使用するとともに、赤外レーザーを使用し試料基板のみを効率的に加熱することにより、加熱中の水素のバックグランドの増加を抑え、試料からの脱離水素を高感度で測定できる装置です。
また、検出には四重極質量分析器を使用しているため、水素以外の脱離物質についても分析が可能です。

　本装置の開発は第103回市村清新技術財団新技術開発助成により推進されました。 本装置は東京工業大学細野研究室との産学連携製品です。

装置原理

●赤外加熱で局所加熱
●放射温度計で温度計測･制御
●BeCuチャンバーで低水素バックグランド
●オリフィス設置で高感度化

測定データ

Hイオン注入Si基板の熱脱離実験結果

1回目と2回目加熱の連続TDS結果	異なるイオン注入濃度Si基板の熱脱離実験結果
強度積分値と水素イオンの検量線グラフ

Si基板の加熱制御結果

昇温速度制御可能

広範囲にわたる高い温度制御精度

デモ測定受付中

試料導入室を備えたスタンドアロンの3室構成のシステム(右図)をデモ測定器として準備しています。 本計測は、大気中での水分吸着に敏感な可能性がありますので、試料の導入方法や測定内容については相談して進めさせていただきます。 連絡先