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プローバー用導電性ナノプローブ


Wプローブの針先部のSEM写真Wプローブの針先部のSEM写真

マイクロおよびナノスケールでのサンプル表面への多探針プロービングは、半導体デバイスの故障解析のための表面電気特性測定等、半導体デバイスの研究開発および生産の分野で活用されています。近年デバイス構造の微細化に伴い、検査用プローブの先鋭化・表面酸化膜の抑制などプローブに要求される仕様も高まっています。またこのようなプローブはナノバイオなど多様な分野でニーズが高まってきております。当社はそれらのニーズに応えるため、各種用途に対応できる接触検査用ナノプローブを開発いたしました。

ニッケルプローブの金、銀等のコーティングも特注にて承っております。

傾斜角が小さく多探針用に有利な先端形状

隣接するプローブが鋭角で接近した場合にプローブ同士が接触しないことに考慮した傾斜角が小さいプローブ形状を有しています。

サンプルとのソフトな接触が可能※1

白金イリジウムプローブでは、酸化膜が表面に介在しないため接触の際に速やかに導電性を得ることが可能です。これによりサンプルとプローブの損傷を最小に抑えることが出来ます。

※1: タングステンプローブ P-100Wを除く

プローバー用導電性ナノプローブの種類

ニッケルプローブについては、高性能STMプローブのページをご覧ください。

白金イリジウムプローブ
型番: P-100PtIr(P)低接触抵抗、幅広い接触測定向け
タングステンプローブ
型番: P-100WP接触抵抗の影響が少ない測定向け
針先形状: 円錐形
線径: 0.5 mm dia.
先端曲率半径: 20 nm 以下
多結晶白金イリジウム
針先形状: 0.25 mm dia.
35 nm以下
多結晶タングステン
白金イリジウムプローブ タングステンプローブ
※本製品は(独)科学技術振興機構先端計測分析技術・機器開発事業において、東京大学・大阪大学・豊田工業大学と共同で開発されました。